晶閘管是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱(chēng),又可稱(chēng)做可控硅整流器,以前被簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅;1957年美國(guó)通用電器公司開(kāi)發(fā)出世界上*晶閘管產(chǎn)品,并于1958年使其商業(yè)化;晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),它有三個(gè)極:陽(yáng)極,陰極和門(mén)極;晶閘管工作條件為:加正向電壓且門(mén)極有觸發(fā)電流;其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導(dǎo)晶閘管,光控晶閘管等。它是一種大功率開(kāi)關(guān)型半導(dǎo)體器件,在電路中用文字符號(hào)為“V”、“VT”表示。
晶閘管屬于硅元件,很多人也稱(chēng)它為“可控硅”。硅元件的普遍特性是過(guò)載能力差,因此在使用過(guò)程中經(jīng)常會(huì)發(fā)生燒壞晶閘管的現(xiàn)象。
晶閘管燒壞都是由溫度過(guò)高造成的,而溫度是由晶閘管的電特性、熱特性、結(jié)構(gòu)特性決定的,因此保證晶閘管在研制、生產(chǎn)過(guò)程中的質(zhì)量應(yīng)從三方面入手:電特性、熱特性、結(jié)構(gòu)特性,而且三者是緊密相連、密不可分的,所以在研制、生產(chǎn)晶閘管時(shí)應(yīng)充分考慮其電應(yīng)力、熱應(yīng)力、結(jié)構(gòu)應(yīng)力。燒壞晶閘管的原因很多,總的說(shuō)來(lái)還是三者共同作用下才致使晶閘管燒壞的,某一單獨(dú)的特性下降很難造成品閘管燒壞,因此我們?cè)谏a(chǎn)過(guò)程中可以充分利用這個(gè)特點(diǎn),就是說(shuō)如果其中的某個(gè)應(yīng)力達(dá)不到要求時(shí)可以采取提高其他兩個(gè)應(yīng)力的辦法來(lái)彌補(bǔ)。
從晶閘管的各相參數(shù)看,經(jīng)常發(fā)生事故的參數(shù)有:電壓、電流、dv/dt、di/dt、漏電、開(kāi)通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間等,甚至有時(shí)控制極也可燒壞。由于晶閘管各參數(shù)性能的下降或線(xiàn)路問(wèn)題會(huì)造成晶閘管燒損,從表面看來(lái)每個(gè)參數(shù)所造成晶閘管燒損的現(xiàn)象是不同的,因此通過(guò)解剖燒損的晶閘管就可以判斷出是由哪個(gè)參數(shù)造成晶閘管燒壞的。
一般情況下陰極表面或芯片邊緣有一燒損的小黑點(diǎn)說(shuō)明是由于電壓引起的,由電壓引起燒壞晶閘管的原因有兩中可能,一是晶閘管電壓失效,就是我們常說(shuō)的降伏,電壓失效分早期失效、中期失效和晚期失效。二是線(xiàn)路問(wèn)題,線(xiàn)路中產(chǎn)生了過(guò)電壓,且對(duì)晶閘管所采取的保護(hù)措施失效。
晶閘管因?yàn)槠涮匦詫?dǎo)致比較容易出現(xiàn)損壞現(xiàn)象,因此我們?cè)谶x購(gòu)過(guò)程中,應(yīng)由其注意這方面的問(wèn)題,關(guān)于晶閘管的相關(guān)知識(shí),后續(xù)我們將繼續(xù)為大家進(jìn)行介紹。