可控硅元件的主要弱點(diǎn)是承受過電流和過電壓的能力很差，即使短時(shí)間的過流和過電壓，也可能導(dǎo)致可控硅的損壞，所以必須對它采用適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)措施。

　　

　　1.過電流保護(hù)

　　

　　可控硅出現(xiàn)過電流的主要原因是過載、短路和誤觸發(fā)。過電流保護(hù)有以下三種：

　　

　　*種是快速容斷器：快速容斷器中的溶絲是銀質(zhì)的，只要選用適當(dāng)，在同樣的過電流倍數(shù)下，它可以在可控硅損壞前先溶斷，從而保護(hù)了晶閘管。

　　

　　第二種是過電流繼電器：當(dāng)電流超過過電流繼電器的整定值時(shí)，過電流繼電器就會動作，切斷保護(hù)電路。但由于繼電器動作到切斷電路需要一定時(shí)間，所以只能用作可控硅的過載保護(hù)。

　　

　　第三種是過載截止保護(hù)：利用過電流的信號將可控硅的觸發(fā)信號后移，或使可控硅得導(dǎo)通角減小，或干脆停止觸發(fā)保護(hù)可控硅。

　　

　　2.過電壓保護(hù)

　　

　　過電壓可能導(dǎo)致可控硅的擊穿，其主要原因是由于電路中電感元件的通斷、熔斷器熔斷或可控硅在導(dǎo)通與截止間的轉(zhuǎn)換。對過壓保護(hù)可采用兩種措施：

　　

　　*種：阻容保護(hù)阻容保護(hù)是電阻和電容串聯(lián)后，接在可控硅電路中的一種過電壓保護(hù)方式，其實(shí)質(zhì)是利用電容器兩端電壓不能突變和電容器的電場儲能以及電阻使耗能元件的特性，把過電壓的能量變成電場能量儲存在電場中，并利用電阻把這部分能量消耗掉。

　　

　　第二種：硒堆保護(hù)。