詳細資料:
英飛凌IGBT模塊FZ2400R12HE4P_B9
北京京誠宏泰科技有限公司銷售英飛凌IGBT模塊;可控硅模塊;整流橋模塊;二極管模塊;晶閘管;IPM模塊; 功率半導體器件;變頻器配件
西門子S120變頻器IGBT功率模塊 晶體管模塊FZ2400R12HE4P_B9
產品參數(shù):
IHM B 1200 V 2400A 190 mm 單開關 IGBT 模塊,配有第四代 溝槽柵/場終止 IGBT,是您的工業(yè)應用的理想解決方案。預涂熱界面材料
IHV B 3300 V 1000 A 130 mm 單開關 IGBT 模塊,具有第三代 TRENCHSTOP™ IGBT、低開關損耗和發(fā)射極控制二極管——適用于牽引和工業(yè)應用的成熟解決方案
如何計算IGBT器件的工作結溫Tvj?
ChatGPT是這樣說的:
要計算IGBT器件的工作結溫Tvj,需要考慮以下幾個因素:
1 | IGBT芯片的功率損耗。這個值可以通過IGBT芯片廠家提供的datasheet中查到。通常來說,功率損耗越大,工作結溫就越高。 |
2 | IGBT芯片的封裝方式。不同的封裝方式會影響散熱效率。一般來說,背面帶有散熱片的封裝方式散熱效果較好。 |
3 | 外部散熱器的散熱能力。外部散熱器的散熱能力也會影響工作結溫。散熱器的大小、材料以及通風情況都會影響散熱效果。 |
如果考慮了以上因素后,可以使用以下公式計算IGBT器件的工作結溫Tvj:
Tvj = Ta + Pd*Rthjc
其中, Ta是環(huán)境溫度,Pd是IGBT芯片的功率損耗,Rthjc是芯片與散熱器結合部的熱阻。
需要注意的是,這個公式只考慮了IGBT芯片本身的散熱情況,并沒有考慮整個系統(tǒng)的散熱能力。因此,在實際應用中,還需要結合具體的系統(tǒng)情況來確定IGBT器件的工作結溫。
1700V IGBT模塊型號:
FZ1800R17KF4
FZ1200R17KF6C_B2
FZ1600R17KF6C_B2
FZ2400R17KF6C_B2
FZ1200R17KF4
FZ1200R17HE4
FZ1200R17HP4_B2 FZ1600R17HP4_B2 FZ1600R17HP4_B21 FZ1800R17HP4_B29 FZ2400R17HP4_B2 FZ2400R17HP4_B28 FZ2400R17HP4_B29 FZ3600R17HP4_B2 |
FZ1200R17HP4 FZ1600R17HP4 FZ1800R17HP4_B9 FZ2400R17HP4 FZ2400R17HP4_B9 FZ3600R17HP4 IGBT4 Fast (IHM B) 1) FZ1200R17HE4 FZ1800R17HE4_B9 FZ2400R17HE4_B9 FZ3600R17HE4 |
特征描述
產品規(guī)格:
IGBT 類型:溝槽型場截止
配置:半橋
電壓 - 集射極擊穿:1200 V
電流 - 集電極 (Ic):2400 A
電流 - 集電極截止:100 µA
不同 Vce 時輸入電容 (Cies):122 nF @ 25 V
輸入:標準
NTC 熱敏電阻:無
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
供應商器件封裝:AG-62MM
產品特征:
高功率密度
的 VCE,SAT
Tvj op = 175°C 過載
高爬電距離和電氣間隙
符合 RoHS 標準
4 kV AC 1 分鐘絕緣
CTI > 400 的封裝
通過 UL1557 E83336 獲得 UL/CSA 認證
TRENCHSTOP™ IGBT7晶片
改進的EconoDUAL™ 3封裝
225、750和900A,1700V半橋模塊
的二極體,750A IGBT配1200A二極體(僅FF750R17ME7D_B11)
在過載情況下工作結溫可達到175°C
壓接式控制引腳
英飛凌IGBT模塊FZ2400R12HE4P_B9
優(yōu)勢:
具有高電流能力的現(xiàn)有封裝,允許在相同框架尺寸的情況下增加逆變器輸出功率
高功率密度
避免 IGBT 模塊并聯(lián)
通過簡化逆變器系統(tǒng)降低系統(tǒng)成本
靈活性
高的可靠性
產品應用領域:
不間斷電源(UPS)
儲能系統(tǒng)
電機控制和驅動
商用、建筑和農用車輛 (CAV)
變頻器
北京京誠宏泰科技有限公司是一家集渠道、分銷、經銷 、直銷及OEM模式為一體的電力電子半導體銷售和電力電子行業(yè)解決方案的產業(yè)鏈供應商。
銷售國內外品牌電力電子半導體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊;主要經銷德國Infineon英飛凌、EUPEC優(yōu)派克、
SIEMENS西門子、西門康Semikron、 IXYS艾賽斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科,DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Mitsubishi三菱、
Fuji富士、Fairchild飛兆半導體、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因達NIEC,美國IR,瑞士ABB,POWERSEM,NELL尼爾;yaskawa安川;
英國西瑪,西班牙CATELEC等公司生產的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶閘管、GTO、GTR達林頓、整流橋、二極管、場效應模塊;日本富士(FUJI)、
日之出(HINODE)、法國羅蘭(FERRAZ)、英國GOULD、美國BUSSMANN快速熔斷器;KEMET,意大利Arcotronics(AV),
Itelcond,意大利FACON,德國伊凱基ELECTRONICON,法國湯姆遜TPC,日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon;
紅寶石,epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發(fā)、英國BHC,BHC Aerovox 電解電容以及美國CDE無感電容;瑞士CONCEPT IGBT驅動、光耦、變頻器主控板、驅動板,電源板,通信板,接口板
操作面板
英飛凌IGBT模塊FZ2400R17HE4P_B9
IGBT是什么?
IGBT即絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
IGBT與MOSFET的對比
MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。
優(yōu)點:熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。
缺點:擊穿電壓低,工作電流小。北京京誠宏泰科技有限公司英飛凌IGBT模塊FZ2400R17HE4P_B9
IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結合的產物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。
特點:擊穿電壓可達1200V,集電極最大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上,工作頻率可達20kHz。
IGBT的典型應用
電動機
不間斷電源
太陽能面板安裝
電焊機
電源轉換器與反相器
電感充電器
電磁爐
第七代IGBT型號:
FF900R12ME7P_ B11
FF450R12ME7_ B11
FF900R12ME7W_ B11
FF900R12ME7_ B11
FF600R12ME7_ B11
FF800R12KE7
FF300R12ME7_ B11
FF750R12ME7_ B11
FF750R17ME7D_ B11
FF225R17ME7_ B11
FF1800R23IE7P
FF1800R23IE7
FF2400RB12IP7P
FF2400RB12IP7