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產(chǎn)品展示
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供應三菱鐵路機車IGBT模塊CM800HA-50H

供應三菱鐵路機車IGBT模塊CM800HA-50H

型    號: CM1800HC-66R
報    價: 18888
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供應三菱鐵路機車IGBT模塊CM800HA-50H
三菱大功率IGBT模塊
2500V高壓IGBT模塊CM1200HC-50H
3300V高壓IGBT模塊CM1200HB-66H
HVIPM模塊PM1200HCE330-1

詳細資料:

供應三菱鐵路機車IGBT模塊CM800HA-50H

高壓IGBT晶體管模塊CM800HA-50H

2500V高壓IGBT模塊CM800HA-50H

北京京誠宏泰科技有限公司供應三菱鐵路機車IGBT模塊CM800HA-50H

IGBT即絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
IGBT與MOSFET的對比
MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。
北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊CM800HA-50H晶體管
優(yōu)點:熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。
缺點:擊穿電壓低,工作電流小。
IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。

軌道車輛中廣泛采用IGBT模塊構(gòu)成牽引變流器以及輔助電源系統(tǒng)的恒壓恒頻(CVCF)逆變器。國外的地鐵或輕軌車輛輔助系統(tǒng)都采用方案多樣的IGBT器件。
動車組中,主變流器的開關(guān)使用耐壓高達6500V/600A的IGBT器件,輔助變流器采用開關(guān)頻率為1950Hz的PWM技術(shù),由3臺雙IGBT和相關(guān)反并聯(lián)二極管組成,每臺雙IGBT組成三相中的一相

 

軌道交通電力牽引供電制式有直流和交流兩類。北京京誠宏泰科技有限公司
直流有600V、750V、1500V、3000V等電壓等級。一般DC1500V采用架空接觸網(wǎng)供電方式,而DC750V采用第三軌供電方式。
交流電壓供電網(wǎng)絡(luò)有6.25kV, 15kV, 25kV等電壓等級。電氣化的供電系統(tǒng)由發(fā)電廠集中提供電能,經(jīng)變電站,通過高壓輸電線(110kV)傳給牽引變電所,轉(zhuǎn)變?yōu)橄鄳妷旱浇佑|網(wǎng)上,供給沿線運行的電力機車。
鐵路牽引是三菱電機HVIGBT的主要應用領(lǐng)域之一,同時,三菱電機擁有自己的牽引變流器企業(yè),對HVIGBT在該領(lǐng)域的應用有相當經(jīng)驗,所以我們可以為客戶提供很好的支持。三菱電機有1.7kV、3.3kV、4.5kV和6.5kV的HVIGBT,滿足不同電壓等級的應用

CM800HA-34H

CM2400HC-34N

CM800HB-50H

CM1200HG-66H

CM900HG-90H

CM1200DB-34N

CM800HA-50H

CM1200HC-50H

CM1800HC-66R

CM200HG-130H

CM1800HC-34H

CM1200HB-66H

CM800E6C-66H

CM600HG-90H

CM400HG-130H

CM1800HC-34N

CM1200HC-66H

CM1200HA-66H

CM800HG-90R

CM750HG-130R


 

三菱電機面向動車組牽引變流器的HVIGBT模塊

 

三菱電機基于高可靠性、高魯棒性及低損耗設(shè)計了X系列HVIGBT,在H系列和R系列相同封裝的基礎(chǔ)上,進一步擴展了電流等級。
X系列HVIGBT芯片采用了表面電荷控制(SCC)技術(shù),該技術(shù)使HVIGBT模塊具有出色的濕度魯棒性,如圖11.14所示。在傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中,由于芯片終端覆蓋有絕緣層,因此沒有釋放表面電荷的路徑。然而,在采用SCC技術(shù)的終端結(jié)構(gòu)中,表面電荷可以通過半絕緣層泄放,表面電荷不會對芯片終端電場產(chǎn)生不利影響。因此,即使有凝露,也能保持優(yōu)良的阻斷電壓特性。北京京誠宏泰科技有限公司

X系列HVIGBT利用了第7代芯片的優(yōu)勢,IGBT采用了CSTBT (III)(Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor)芯片技術(shù),續(xù)流二極管采用RFC (Relaxed Field of Cathode)結(jié)構(gòu)。這兩種芯片技術(shù)可以實現(xiàn)通態(tài)損耗、開關(guān)損耗的降低和增強的開關(guān)性能,同時擴展了魯棒性、低損耗和SOA這三項技術(shù)邊界。其飽和壓降和反并聯(lián)二極管的正向壓降與H系列HVIGBT相比 北京京誠宏泰科技有限公司

對于動車組,推薦的HVIGBT型號如下:

供應三菱鐵路機車IGBT模塊CM800HA-50H

對于地鐵或輕軌,推薦的HVIGBT型號如下

供應三菱鐵路機車IGBT模塊CM800HA-50H

 

 

三菱電機面向城市軌道交通的HVIGBT模塊

 

不同于機車與動車組,地鐵或輕軌站與站之間的距離較短,牽引變流器需要不斷的啟停,對HVIGBT模塊來說,結(jié)溫和殼溫的溫度波動循環(huán)更多。因此除了高可靠性要求外,還需要HVIGBT具有足夠的壽命,滿足牽引變流器的壽命設(shè)計要求。北京京誠宏泰科技有限公司
與前幾代相比,X系列使用高溫焊料進行芯片連接。此外,除了金屬化陶瓷基板的改進,用于將基板連接到底板的焊料也得到了改進。最后,采用改進的凝膠材料進一步提高了功率循環(huán)能力。與前一代相比,新封裝技術(shù)使功率循環(huán)能力提高了2.7倍

 

供應三菱鐵路機車IGBT模塊CM800HA-50H

 

產(chǎn)品屬性 屬性值
Misubsh Elecric
IGBT 模塊
供應商:
北京京誠宏泰科技有限公司
RoHS: N
IGBT Silicon Modules
Triple
1700 V
3.45 V
800 A
0.5 uA
11300 W
Module
- 40 C
+ 125 C
Bulk
商標: Misubih Electc
柵極/發(fā)射極電壓: 20 V
安裝風格: SMD/SMT
產(chǎn)品類型: IGBT Modules
系列: CM800HA-50H
2
子類別: IGBTs
技術(shù): Si  

 

CM1200HC-50H除了IGBT外, 該模塊還包括集成式(集成的)門驅(qū)動電路,以及檢測和防止過流、過壓、過熱和門驅(qū)動電壓不足(門極驅(qū)動欠壓)等故障的電路。

電力機車牽引的兩電平變頻器IPM模塊PM1200HCE330-1

HVIPM(High Voltage Inligent Power Module)為了進一步發(fā)揮IGBT芯片的性能,采用的驅(qū)動電路,是將自我保護(過電流、控制電源電壓降低、過熱)功能等實現(xiàn)IC化的高性能模塊。為大容量變換器裝置的小型化和節(jié)能化貢獻力量,作為IPM,產(chǎn)品陣容中的zui大額定值達到3.3kV/1.2kA北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨北京京誠宏泰科技有限公司供應IGBT模塊CM800HA-50H

PM1200HCE330-1主要用途變換器裝置 / 換流器裝置 / DC斬波器裝置

 

CM900HC-90H 203

CM900HC-90H 204

CM900HB-90H
CM900HG-90H

CM1200HC-66H

CM1200HB-66H 209

CM1200HG-90R

MG900GXH1US53

CM750HG-130R

CM600HG-130H

DTR0000205475/H

FZ1500R33HE3

IGBT逆變模塊IGBT inverter module3EST000223-1474IGBT 3300V 1500A MBN1500E33E2

IGBT制動模塊IGBT braking module3EST000223-2841IGBT 斬波器3300V 1000A MBL1000E33E2-B

ACM(IGBT-module3300V 400A)3EGM065727R0001Hitachi  MBL400E33D3EGM065727R0001

 

北京京誠宏泰科技有限公司是一家集渠道、分銷、經(jīng)銷 、直銷及OEM模式為一體的電力電子半導體銷售和電力電子行業(yè)解決方案的產(chǎn)業(yè)鏈供應商。

專業(yè)銷售國內(nèi)外品牌電力電子半導體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊;主要經(jīng)銷德國Infineon英飛凌、EUPEC優(yōu)派克、

SIEMENS西門子、西門康Semikron、 IXYS艾賽斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科,DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Mitsubishi三菱、

Fuji富士、Fairchild飛兆半導體、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因達NIEC,美國IR,瑞士ABB,POWERSEM,NELL尼爾;yaskawa安川;

 

供應三菱鐵路機車IGBT模塊CM800HA-50H

 

英國西瑪,西班牙CATELEC等公司生產(chǎn)的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶閘管、GTO、GTR達林頓、整流橋、二極管、場效應模塊;日本富士(FUJI)、

日之出(HINODE)、法國羅蘭(FERRAZ)、英國GOULD、美國BUSSMANN快速熔斷器;KEMET,意大利Arcotronics(AV),

Itelcond,意大利FACON,德國伊凱基ELECTRONICON,法國湯姆遜TPC,日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon;

紅寶石,epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發(fā)、英國BHC,BHC Aerovox 電解電容以及美國CDE無感電容;瑞士CONCEPT IGBT驅(qū)動、光耦、變頻器主控板、驅(qū)動板,電源板,通信板,接口板

操作面板  

CM800DZ-34H

CM2400HC-34N

CM800HC-66H

CM1500HC-66R

CM1000HC-66R

DD600N16K-A

 

5SNA 1200E330100

CM1200HG-66H

FZ1200R33KL2C_B5

ST1200FXF22

CM900HB-90H

MG900GXH1US53

CM750HG-130R

CM1200HG-90R

T0900EA45A

5SNA 0600G650100

CM400HG-130H

CM600HG-130H

CM400HG-130H

CM750HG-130R

 

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