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產(chǎn)品展示
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IGBT模塊DW.MK006-V12A6-I 1.2A電除塵器

IGBT模塊DW.MK006-V12A6-I 1.2A電除塵器

型    號: DW.MK006-V12A6-F
報    價: 9999
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IGBT模塊DW.MK006-V12A6-I 1.2A電除塵器
北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊;可控硅模塊;晶閘管;二極管模塊;整流橋模塊;PLC模塊;電容;變頻器備件

詳細資料:

IGBT模塊DW.MK006-V12A6-I 1.2A電除塵器

電除塵器高頻電源 脈沖電源配件

北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊;可控硅模塊;整流橋模塊;二極管模塊;電容;晶閘管;IPM模塊;半導(dǎo)體功率模塊;PLC模塊,風機,傳感器,驅(qū)動板,主控板,電源板,變頻器配件

IGBT驅(qū)動板DW.QD005-V12A6/9-F電除塵器電源

 

DW.QD005-V12A6/9-F

DW.MK006-V12A6-F

DW.QD005-V12A6-F 1.2A

DW.MK006-V12A6-I 1.2A

高頻電源IGBT模塊EHC-ⅡDW.MK006-V12A9-F/個//

高頻電源IGBT驅(qū)動板EHC-ⅡDW.QD005-V12A6/9-F/個//


產(chǎn)品參數(shù):

 

 

IGBT 類型:溝槽型場截止

配置:半橋

電壓 - 集射極擊穿:3300 V

電流 - 集電極 (Ic):1500 A

電流 - 集電極截止:100 µA

不同 Vce 時輸入電容 (Cies):122 nF @ 25 V

輸入:標準

NTC 熱敏電阻:無

工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:底座安裝

封裝/外殼:模塊

供應(yīng)商器件封裝:AG-62MM

 

 

 

 

IGBT模塊DW.MK006-V12A6-I 1.2A電除塵器

 

IGBT模塊的優(yōu)勢

IGBT模塊相較于其他功率器件具有許多優(yōu)勢,這些優(yōu)勢使得它們備受歡迎:
高功率承受能力:由于IGBT模塊內(nèi)部集成了多個器件,因此它們能夠處理高功率負載,適用于要求大電流和高功率的應(yīng)用。
高電壓能力:IGBT模塊的設(shè)計允許多個IGBT器件串聯(lián)工作,因此它們能夠承受高電壓,適用于需要高電壓控制的場合。
高效性能:IGBT模塊具有低導(dǎo)通電阻和低開關(guān)損耗,從而實現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換。這有助于減少能源浪費和熱量產(chǎn)生。
高開關(guān)速度:IGBT模塊具有快速的開關(guān)速度,能夠迅速響應(yīng)控制信號,適用于高頻率應(yīng)用。
集成驅(qū)動電路:IGBT模塊通常集成了驅(qū)動電路,簡化了系統(tǒng)設(shè)計,減少了外部元件的需求。
保護功能:IGBT模塊集成了多種保護功能,提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。
可靠性:IGBT模塊經(jīng)過精密設(shè)計和制造,具有高度的可靠性,適用于惡劣的工作環(huán)境。

 

 

綜合上述優(yōu)勢,IGBT模塊已經(jīng)成為能量轉(zhuǎn)換和電力控制領(lǐng)域的的組成部分,廣泛應(yīng)用于電機驅(qū)動、電力傳輸、可再生能源、工業(yè)控制和醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。

特征描述
  • 高直流電壓穩(wěn)定性

  • 高短路能力

  • 自限制短路電流

  • 低開關(guān)損耗

  • 出色的堅固性

  • Tvj op = 150°C

  • 低 VCEsat,具有正溫度系數(shù)

  • 鋁碳化硅基板,用于提高熱循環(huán)能力

  • 封裝的 CTI > 600

  • 絕緣基板

 

 

IGBT模塊DW.MK006-V12A6-I 1.2A電除塵器

產(chǎn)品規(guī)格:

 

產(chǎn)品特征:

高功率密度

的 VCE,SAT

Tvj op = 175°C 過載

高爬電距離和電氣間隙

符合 RoHS 標準

4 kV AC 1 分鐘絕緣

CTI > 400 的封裝

通過 UL1557 E83336 獲得 UL/CSA 認證

TRENCHSTOP™ IGBT7晶片

改進的EconoDUAL™ 3封裝

225、750和900A,1700V半橋模塊

的二極體,750A IGBT配1200A二極體(僅FF750R17ME7D_B11)

在過載情況下工作結(jié)溫可達到175°C

壓接式控制引腳

IGBT驅(qū)動板DW.QD005-V12A6/9-F電除塵器電源

優(yōu)勢:

具有高電流能力的現(xiàn)有封裝,允許在相同框架尺寸的情況下增加逆變器輸出功率

高功率密度

避免 IGBT 模塊并聯(lián)

通過簡化逆變器系統(tǒng)降低系統(tǒng)成本

靈活性

高的可靠性

產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域:

不間斷電源(UPS)

儲能系統(tǒng)

電機控制和驅(qū)動

商用、建筑和農(nóng)用車輛 (CAV)

變頻器

IGBT模塊DW.MK006-V12A6-I 1.2A電除塵器

北京京誠宏泰科技有限公司是一家集渠道、分銷、經(jīng)銷 、直銷及OEM模式為一體的電力電子半導(dǎo)體銷售和電力電子行業(yè)解決方案的產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)商。

銷售國內(nèi)外品牌電力電子半導(dǎo)體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊;主要經(jīng)銷德國Infineon英飛凌、EUPEC優(yōu)派克、

SIEMENS西門子、西門康Semikron、 IXYS艾賽斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科,DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Mitsubishi三菱、

Fuji富士、Fairchild飛兆半導(dǎo)體、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因達NIEC,美國IR,瑞士ABB,POWERSEM,NELL尼爾;yaskawa安川; 北京京誠宏泰科技有限公司

英國西瑪,西班牙CATELEC等公司生產(chǎn)的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶閘管、GTO、GTR達林頓、整流橋、二極管、場效應(yīng)模塊;日本富士(FUJI)、

日之出(HINODE)、法國羅蘭(FERRAZ)、英國GOULD、美國BUSSMANN快速熔斷器;KEMET,意大利Arcotronics(AV),

Itelcond,意大利FACON,德國伊凱基ELECTRONICON,法國湯姆遜TPC,日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon;

紅寶石,epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發(fā)、英國BHC,BHC Aerovox 電解電容以及美國CDE無感電容;瑞士CONCEPT IGBT驅(qū)動、光耦、變頻器主控板、驅(qū)動板,電源板,通信板,接口板

操作面板  IGBT驅(qū)動板DW.QD005-V12A6/9-F電除塵器電源

高頻電源IGBT驅(qū)動板EHC-ⅡDW.QD005-V12A6/9-F/個//

IGBT是什么?

IGBT即絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

IGBT與MOSFET的對比

MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

優(yōu)點:熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點:擊穿電壓低,工作電流小。北京京誠宏泰科技有限公司供應(yīng)IIGBT模塊DW.MK006-V12A6-I 1.2A電除塵器

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。

特點:擊穿電壓可達1200V,集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上,工作頻率可達20kHz。

IGBT的典型應(yīng)用

電動機

不間斷電源

太陽能面板安裝

電焊機

電源轉(zhuǎn)換器與反相器

電感充電器

電磁爐

 

 

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