詳細資料:
日立IGBT模塊MBN1800F33F-C3
北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊;可控硅模塊;整流橋模塊;二極管模塊;電容;晶閘管;IPM模塊;半導體功率模塊;PLC模塊,風機,傳感器,驅(qū)動板,主控板,電源板,變頻器配件
地鐵機車變流器配件日立IGBT模塊MBN1800F33F-C3
產(chǎn)品參數(shù):
IGBT 類型:溝槽型場截止
配置:半橋
電壓 - 集射極擊穿:3300 V
電流 - 集電極 (Ic):1500 A
電流 - 集電極截止:100 µA
不同 Vce 時輸入電容 (Cies):122 nF @ 25 V
輸入:標準
NTC 熱敏電阻:無
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
供應商器件封裝:AG-62MM
MBN1200D33A
MBN1200H45E2-H
MBN1500E33E3
MBN1200E25E
MBL800E33C
MBL400E33D
MBL1000E33E-B
MBL1000E33E2-B
MBN800E33D-P
MBN1200E33C
MBN1500E33C
IGBT逆變模塊IGBT inverter module3EST000223-1474IGBT 3300V 1500A MBN1500E33E2
IGBT制動模塊IGBT braking module3EST000223-2841IGBT 斬波器3300V 1000A MBL1000E33E2-B
ACM(IGBT-module3300V 400A)3EGM065727R0001Hitachi MBL400E33D3EGM065727R0001
MBN1200D33A
MBN1200H45E2-H
MBN1500E33E3
MBN1200E25E
MBL800E33C
MBL400E33D
MBL1000E33E-B
MBL1000E33E2-B
MBN800E33D-P
MBN1200E33C
MBN1500E33C
MBN1200D33C
MBN1000GR12A
MBN1200E17D
MBN1200E33D
MBN1200E33E
MBN1500E33E
MBN1800D17C
MBN800E33D
MBN800E33E
MDM1200H45E2-H
MBN1200H45E2-H
MDM800E33D
MBN750H65E2
MDM750H65E2
3300V IGBT模塊型號:
FZ1000R33HL3_S2
FZ1500R33HL3_S2
FF200R33KF2C
FZ400R33KF2C
FZ800R33KF2C
FZ1200R33KF2C
IGBT模塊FZ1000R33HL3
IGBT模塊FZ1000R33HE3
IGBT模塊FZ1200R33HE3
IGBT模塊FZ1500R33HE3
IGBT模塊FZ1500R33HL3
IGBT模塊FZ1600R33HE4
IGBT模塊FZ1400R33HE4
IGBT模塊FZ2400R33HE4
IGBT模塊FF450R33T3E3
IGBT模塊FZ825R33HE4D
IGBT模塊的優(yōu)勢
綜合上述優(yōu)勢,IGBT模塊已經(jīng)成為能量轉(zhuǎn)換和電力控制領域的的組成部分,廣泛應用于電機驅(qū)動、電力傳輸、可再生能源、工業(yè)控制和醫(yī)療設備等領域。
1700V IGBT模塊型號:
FZ1800R17KF4
FZ1200R17KF6C_B2
FZ1600R17KF6C_B2
FZ2400R17KF6C_B2
FZ1200R17KF4
FZ1200R17HE4
FZ1200R17HP4_B2 FZ1600R17HP4_B2 FZ1600R17HP4_B21 FZ1800R17HP4_B29 FZ2400R17HP4_B2 FZ2400R17HP4_B28 FZ2400R17HP4_B29 FZ3600R17HP4_B2 |
FZ1200R17HP4 FZ1600R17HP4 FZ1800R17HP4_B9 FZ2400R17HP4 FZ2400R17HP4_B9 FZ3600R17HP4 IGBT4 Fast (IHM B) 1) FZ1200R17HE4 FZ1800R17HE4_B9 FZ2400R17HE4_B9 FZ3600R17HE4 |
特征描述
產(chǎn)品規(guī)格:
產(chǎn)品特征:
高功率密度
的 VCE,SAT
Tvj op = 175°C 過載
高爬電距離和電氣間隙
符合 RoHS 標準
4 kV AC 1 分鐘絕緣
CTI > 400 的封裝
通過 UL1557 E83336 獲得 UL/CSA 認證
TRENCHSTOP™ IGBT7晶片
改進的EconoDUAL™ 3封裝
225、750和900A,1700V半橋模塊
的二極體,750A IGBT配1200A二極體(僅FF750R17ME7D_B11)
在過載情況下工作結溫可達到175°C
壓接式控制引腳
日立IGBT模塊MBN1800F33F-C3
優(yōu)勢:
具有高電流能力的現(xiàn)有封裝,允許在相同框架尺寸的情況下增加逆變器輸出功率
高功率密度
避免 IGBT 模塊并聯(lián)
通過簡化逆變器系統(tǒng)降低系統(tǒng)成本
靈活性
高的可靠性
產(chǎn)品應用領域:
不間斷電源(UPS)
儲能系統(tǒng)
電機控制和驅(qū)動
商用、建筑和農(nóng)用車輛 (CAV)
變頻器
北京京誠宏泰科技有限公司是一家集渠道、分銷、經(jīng)銷 、直銷及OEM模式為一體的電力電子半導體銷售和電力電子行業(yè)解決方案的產(chǎn)業(yè)鏈供應商。
銷售國內(nèi)外品牌電力電子半導體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊;主要經(jīng)銷德國Infineon英飛凌、EUPEC優(yōu)派克、
SIEMENS西門子、西門康Semikron、 IXYS艾賽斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科,DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Mitsubishi三菱、
Fuji富士、Fairchild飛兆半導體、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因達NIEC,美國IR,瑞士ABB,POWERSEM,NELL尼爾;yaskawa安川;
英國西瑪,西班牙CATELEC等公司生產(chǎn)的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶閘管、GTO、GTR達林頓、整流橋、二極管、場效應模塊;日本富士(FUJI)、
日之出(HINODE)、法國羅蘭(FERRAZ)、英國GOULD、美國BUSSMANN快速熔斷器;KEMET,意大利Arcotronics(AV),
Itelcond,意大利FACON,德國伊凱基ELECTRONICON,法國湯姆遜TPC,日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon;
紅寶石,epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發(fā)、英國BHC,BHC Aerovox 電解電容以及美國CDE無感電容;瑞士CONCEPT IGBT驅(qū)動、光耦、變頻器主控板、驅(qū)動板,電源板,通信板,接口板
操作面板
英飛凌IGBT模塊FZ1000R33HL3_S2
IGBT是什么?
IGBT即絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
IGBT與MOSFET的對比
MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。
優(yōu)點:熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。
缺點:擊穿電壓低,工作電流小。北京京誠宏泰科技有限公司IGBT模塊MBN1800F33F-C3
IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。
特點:擊穿電壓可達1200V,集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上,工作頻率可達20kHz。
IGBT的典型應用
電動機
不間斷電源
太陽能面板安裝
電焊機
電源轉(zhuǎn)換器與反相器
電感充電器
電磁爐
第七代IGBT型號:
FF900R12ME7P_ B11
FF450R12ME7_ B11
FF900R12ME7W_ B11
FF900R12ME7_ B11
FF600R12ME7_ B11
FF800R12KE7
FF300R12ME7_ B11
FF750R12ME7_ B11
FF750R17ME7D_ B11
FF225R17ME7_ B11
FF1800R23IE7P
FF1800R23IE7
FF2400RB12IP7P
FF2400RB12IP7