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供應IGCT晶閘管5SHX1060H0003

集成門極換流晶閘管-IGCT 5SHX1060H0003

北京京誠宏泰科技有限公司銷售供應IGCT晶閘管5SHX1060H0003

5SHX1060H0003

5SHX10H6004

5SHX10H6010

3BHL001863P0001  

3BHL000396P0001  

3BHB023302R0001

3BHB023623R0001

3BHB030310R0001 5SHY4045L0006

3BHB030310R0001 4500V, 91mm,5SHY 4045L0006:GCT MODULE

RC-IGCT 5SHX 1960L0006, 91MM GVC736   3BHB016120R0002  

KV C757 A124: IPS SINGLE VOLTAGE 24V     3BHE020959R0124

CONTR. PANEL INTERF. CONN. BOARD NDPI-02     3BHL000764P0001

3BHB023235R0001

3BHB002000R0001

3BHB013088R0001

產(chǎn)品概述

5SHX1060H0003是ABB公司生產(chǎn)的一款反向?qū)蓶艠O整流晶閘管（IGCT）模塊。IGCT是一種大功率半導體器件，具有快速開關(guān)、高耐壓、大電流等特點，廣泛應用于電力電子領(lǐng)域。ABB的這款I(lǐng)GCT模塊，結(jié)合了晶閘管和整流器的功能，在交流電源上實現(xiàn)單向?qū)щ?，并在控制信號的作用下實現(xiàn)電流的開關(guān)控制。

IGCT由于其具有阻斷電壓高、容量大、通態(tài)損耗低、可靠性高等優(yōu)點，在工業(yè)變頻調(diào)速、風電并網(wǎng)、軌道交通等領(lǐng)域廣泛應用。

公司針對中壓傳動領(lǐng)域的ACS系列變頻器以及針對風力發(fā)電領(lǐng)域的PCS系列換流器均采用IGCT作為開關(guān)器件，

研制成功了用于軌道交通供電的交交型模塊化多電平變換器（MMC）樣機；

相比IGBT，IGCT具有更低的通態(tài)壓降、更高的可靠性以及更低的制造成本，并且結(jié)構(gòu)緊湊、具有更高的阻斷電壓和通流的能力，

有望改進IGBT在高壓大容量應用中的表現(xiàn)和性能。事實上，相比于交流電網(wǎng)應用，在柔性直流電網(wǎng)中，

MMC、直流變壓器以及直流斷路器等關(guān)鍵設(shè)備均具有很多新的特點，例如MMC的開關(guān)頻率非常低、

直流變壓器具有軟開關(guān)能力、直流斷路器僅需單次操作等。這些特點一定程度上將弱化IGCT開關(guān)速度慢等技術(shù)弱點，

北京京誠宏泰科技有限公司銷售供應IGCT模塊5SHX1060H0003

IGCT在整流環(huán)節(jié)中與SCR一脈相承，SCR是Silicon Controlled Rectifier的縮寫，是可控硅整流器的簡稱?？煽毓栌袉蜗颉㈦p向、可關(guān)斷和光控幾種類型。它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、控制方便等優(yōu)點，被廣泛用于可控整流、調(diào)壓、逆變以及無觸點開關(guān)等各種自動控制和大功率的電能轉(zhuǎn)換的場合單向可控硅是一種可控整流電子元件，能在外部控制信號作用下由關(guān)斷變?yōu)閷?svg width="10px" height="10px" viewbox="0 0 16 16" class="ZDI ZDI--FourPointedStar16 css-1dvsrp" fill="currentColor">，但一旦導通，外部信號就無法使其關(guān)斷，只能靠去除負載或降低其兩端電壓使其關(guān)斷。單向可控硅是由三個PN結(jié)PNPN組成的四層三端半導體器件，與具有一個PN結(jié)的二極管相比，北京京誠宏泰科技有限公司單向可控硅正向?qū)ㄊ芸刂茦O電流控制；與具有兩個PN結(jié)的三極管相比，差別在于可控硅對控制極電流沒有放大作用。雙向可控硅具有兩個方向輪流導通、關(guān)斷的特性。雙向可控硅實質(zhì)上是兩個反并聯(lián)的單向可控硅，是由NPNPN五層半導體形成四個PN結(jié)構(gòu)成、有三個電極的半導體器件。由于主電極的構(gòu)造是對稱的（都從N層引出），北京京誠宏泰科技有限公司所以它的電極不像單向可控硅那樣分別叫陽極和陰極，而是把與控制極相近的叫做第一電極A1，另一個叫做第二電極A2。雙向可控硅的主要缺點是承受電壓上升率的能力較低。這是因為雙向可控硅在一個方向?qū)ńY(jié)束時，硅片在各層中的載流子還沒有回到截止狀態(tài)的位置，必須采取相應的保護措施。雙向可控硅元件主要用于交流控制電路，如溫度控制、燈光控制、防爆交流開關(guān)以及直流電機調(diào)速和換向等電路?？煽毓柙诰S持電流以上一直處于開通狀態(tài)，北京京誠宏泰科技有限公司關(guān)斷電流高，控制困難，關(guān)斷速度較慢。逆變環(huán)節(jié)中，在LCI（負載換相逆變器）中SCR具有優(yōu)異表現(xiàn)，可做到超大功率，電壓高、電流也大。二極管（Diode，不可控整流器件）和SCR（半可控）整流均不需要PMW即可滿足兩象限變頻器工作，PWM需要用IGBT（全控）等器件。

北京京誠宏泰科技有限公司銷售供應IGCT模塊5SHX1060H0003

SKiiP系列智能功率模塊系統(tǒng)內(nèi)部集成的驅(qū)動單元具有如下功能：
* IGBT上下橋臂死區(qū)時間互鎖功能
* 短脈沖抑制功能
* 輸入脈沖波形整定功能
* 輸入信號鉗位功能
* 內(nèi)部電源一次側(cè)欠壓監(jiān)控(SKiiP2/3),內(nèi)部電源二次側(cè)欠壓監(jiān)控(SKiiP3)
* 暫態(tài)過壓保護和極性反轉(zhuǎn)保護
* 過溫保護(風冷型產(chǎn)品具有此功能)
* 短路保護和過流保護(通過電流傳感器和Vcesat實現(xiàn))
* Vcesat保護(SKiiP3)
*直流母線電壓過壓保護(可選)

北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGCT模塊3BHB020538R0001

SKiiP1803GB123-3DUK0299

SKiiP1813GB123-3DUK1080

SKiiP2403GB123-4DUK0262

SKiiP1803GB123-3DUK0299
SKiiP1803GB172-3DFK0368
SKiiP1813GB123-3DUK1080
SKiiP1813GB123-3DUK0382
SKiiP2403GB123-4DUK0381
SKiiP2413GB123-4DUK1070
SKiiP2403GB123-4DUK0262

IGCT  5SHX1060H0003典型應用:

空調(diào)系統(tǒng)

可再生能源

牽引

電梯

工業(yè)傳動

SKiiP智能功率模塊技術(shù)的主要特征是：

IGBT芯片采用分散式的分佈,從而使得熱密度小

無銅基板技術(shù)

彈簧壓接技術(shù)

模塊內(nèi)部的橋臂單元平行分布從而得到很低的雜散電感.

這些技術(shù)特點使得SKiiP智能功率模塊系統(tǒng)能獲得更小的熱阻，更強的熱循環(huán)能力和負載循環(huán)能力(是普通模塊的5倍)和更小的雜散電感。同時，因為SKiiP系統(tǒng)低熱阻的特性，可以采用更小體積的散熱器.

Semikron  SKiiP系列智能功率模塊系統(tǒng)包含SKiiP2和SKiiP3兩代產(chǎn)品，SKiiP3在SKiiP2采用Al2O3基板的基礎(chǔ)上，又增加了水冷模塊中AlN基板的選擇。SKiiP智能功率模塊系統(tǒng)的AC端集成了速度很快的，并且與強電絕緣的電流傳感器，對電流檢測十分方便

?IGCT（Integrated Gate-Commutated Thyristor，集成門極換流晶閘管）是一種高壓高功率電子器件，具有快速開關(guān)、較低的導通壓降和良好的反向阻斷能力等優(yōu)點，在高壓、高功率應用中得到了廣泛的應用??。IGCT結(jié)合了GTO（門極可關(guān)斷晶閘管）和MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）的特性，具有開關(guān)速度快、開關(guān)損耗低、輔助電路簡化等優(yōu)點?1。

特性

1. ?開關(guān)損耗低?：IGCT的工作頻率可以達到傳統(tǒng)功率設(shè)備的4倍，適用于高頻應用，如電機傳動系統(tǒng)，可以提高系統(tǒng)效率?1。

2. ?輔助電路簡化?：IGCT無需緩沖電路，簡化了設(shè)計，減少了元件數(shù)量，提高了系統(tǒng)的可靠性和緊湊性?1。

3. ?門極驅(qū)動功率低?：IGCT的門極驅(qū)動電流較小，降低了驅(qū)動電路的功耗?1。

4. ?存儲時間短?：IGCT的關(guān)斷時間短且離散性小，提高了系統(tǒng)的安全性和可靠性?1。

應用領(lǐng)域

IGCT主要應用于高壓直流輸電、大功率變頻器、電力牽引等領(lǐng)域。例如，在高壓直流輸電系統(tǒng)中，IGCT可以用于構(gòu)建柔性直流換流閥，實現(xiàn)高效的電力轉(zhuǎn)換和控制?34。此外，IGCT還適用于大型電機驅(qū)動、電力傳輸和分配系統(tǒng)等高功率應用場景?

北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨供應西門康IGBT模塊SKiiP 2414 GB12E4-4DUK312

VESTAS維斯塔斯CT383A

WOODWARD伍德沃德變頻器IGBT模塊KP-40727

1200V - IGBT 3 (Trench) - SKiiP3
SKiiP 603 GD123-3DUL V3
SKiiP 603 GD123-3DUW V3
SKiiP 613 GD123-3DUL V3
SKiiP 613 GD123-3DUW V3
SKiiP 1213 GB123-2DL V3
SKiiP 1213 GB123-2DW V3
SKiiP 1813 GB123-3DL V3
SKiiP 1813 GB123-3DW V3
SKiiP 2413 GB123-4DL V3
SKiiP 2413 GB123-4DW V3

SKIIP1013GB172-2DK0203

WOODWARD伍德沃德變頻器IGBT模塊KP-40727
1200V - IGBT 4 (Trench) - SKiiP4

北京京誠宏泰科技有限公司是一家集渠道、分銷、經(jīng)銷 、直銷及OEM模式為一體的電力電子半導體銷售和電力電子行業(yè)解決方案的產(chǎn)業(yè)鏈供應商。

專業(yè)銷售國內(nèi)外電力電子半導體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊；主要經(jīng)銷德國Infineon英飛凌、EUPEC優(yōu)派克、

SIEMENS西門子、西門康Semikron、 IXYS艾賽斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科，DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Mitsubishi三菱、

Fuji富士、Fairchild飛兆半導體、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因達NIEC，美國IR，瑞士ABB，POWERSEM,NELL尼爾；yaskawa安川；

英國西瑪，西班牙公司生產(chǎn)的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶閘管、GTO、GTR達林頓、整流橋、二極管、場效應模塊；日本富士（FUJI）、北京京誠宏泰科技有限公司銷售供應西門康IGBT模塊IPM模塊SKiiP 613 GD123-3DUW日之出（HINODE）、法國羅蘭（FERRAZ）、英國GOULD、美國BUSSMANN快速熔斷器；KEMET，意大利Arcotronics（AV),意大利FACON,德國伊凱基ELECTRONICON，法國湯姆遜TPC，日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；

紅寶石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發(fā)、英國BHC，BHC Aerovox 電解電容以及美國CDE無感電容；瑞士CONCEPT IGBT驅(qū)動、光耦、變頻器主控板、驅(qū)動板，電源板，通信板，接口板

操作面板

銷售品牌半導體功率器件工業(yè)備品配件：IGBT模塊；單管IGBT模塊；雙管半橋IGBT模塊；4單元H橋IGBT模塊；3單元IGBT模塊；6單元三相全橋IGBT模塊；

三電平IGBT模塊；6500V高壓IGBT模塊；3300V高壓IGBT模塊；4500V高壓IGBT模塊；IPM模塊；PIM模塊；PLC模塊；GTR達林頓模塊 ；GTO晶閘管；普通晶閘管；

快速晶閘管； 二極管；快恢復二極管；整流橋；剎車整流器；單相整流橋；三相整流橋；全控整流橋；半控整流橋；可控硅；雙向可控硅；反并聯(lián)可控硅；驅(qū)動板；

IGBT驅(qū)動板；可控硅驅(qū)動板；可控硅觸發(fā)板；晶閘管觸發(fā)板； MOSFET管；場效應模塊；電容；直流鋁電解電容；交流濾波電容；啟動電容器；無功補償電容器；

快熔；延時慢熔；智能功率模塊；智能晶閘管模塊；工業(yè)觸摸屏；操作面板；工控機；變頻器整機及配件；軟啟動器整機及配件；電力調(diào)整器整機及配件；

ABB變頻傳動備件；西門子變頻傳動/直流調(diào)速備件；風電/煤礦/石油/鐵路/光伏/新能源汽車備件！