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英飛凌IGBT模塊FZ1200R12HP4

英飛凌IGBT模塊FZ1200R12HP4

型    號： FZ1200R12HP4
報    價： 1666
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小

詳細資料：

英飛凌IGBT模塊FZ1200R12HP4

IHM-BModulmitsoftschaltendemTrench-IGBT4
IHM-Bmodulewithsoft-switchingTrench-IGBT4

VCES= 1200V
IC nom= 1200A / ICRM= 2400A

FZ3600R17HP4 3600A,1700V,IGBT4
FZ1200R12HP4

FZ1500R33HE3 
FZ1500R33HE3

FZ2400R17HP4_B29 
FZ1600R17HP4_B2

FZ3600R12HP4 3600A,1200V,IGBT4 
FZ2400R12HP4_B9 


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