產(chǎn)品展示
英飛凌IGBT斬波模塊FD800R33KF2C-K
| 型 號(hào)： | FD800R33KF2C-K |
| 報(bào) 價(jià)： | 9999 |
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小
詳細(xì)資料：
英飛凌IGBT斬波模塊FD800R33KF2C-K IHM-A module
VCES = 3300V
IC nom = 800A / ICRM = 1600A
TypicalApplications
ChopperApplications
TractionDrives
MechanicalFeatures
AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling
Capability
| 德國英飛凌（EUPEC） 斬波電路IGBT | |||
| DF300R12KE3 | FD200R12KE3 | FD300R12KE3 | FD400R12KF4 |
| FD400R16KF4 | FD400R17KF6-B2 | FD400R33KF1 | FD400R33KF2C |
| FD400R65KF1-K | FD600R12KF4 | FD600R17KF6-B2 | FD600R17KF6 |
| FD800R17KF6-B2 | FD800R33KF1 | F4-300R12KF4 | F4-400R12KF4 |
| F4-400R12KS4-B2 | FD800R33KF2 | F4-150R06KL4 | |
