產(chǎn)品展示
富士IGBT模塊7MBI40N-120
| 型 號(hào)： | 7MBI40N-120 |
| 報(bào) 價(jià)： | 999 |
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小
詳細(xì)資料：
北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品銷售富士7單元IGBT模塊7MBI40N-120
Features
· High Speed Switching
· Voltage Drive
· Low Inductance Module Structure
· Dynamic Brake Circuit
| 日本fuji富士 IGBT 模塊7單元600V系列： | |||
| 7MBI100SA-060 | 7MBI150SA-060 | 7MBI200SA-060 | 7MBI150U2E-060 |
| 7MBI200U2E-060 | 7MBI75SA120 | 7MBI100SA120 | 7MBI100UE120 |
| 7MBI75N-060 | 7MBI100N-060 | 7MBI40N-120 | 7MBI50N-120 |
