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英飛凌igbt斬波模塊FD1600/1200R17KF6C_B2

英飛凌igbt斬波模塊FD1600/1200R17KF6C_B2

型    號： FD1600/1200R17KF6C_B
報    價： 1888
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IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小

詳細資料：

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1700V  1200A

典型應用
大功率變流器
電機傳動
UPS系統(tǒng)
電氣特性
增加阻斷電壓至650V
提高工作結(jié)溫Tvjop
高短路能力，自限制短路電流


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