日立IGBT模塊MBN1200E17D
型 號(hào): | MBN1200E17D |
報(bào) 價(jià): | 9999 |
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小
詳細(xì)資料:
北京京誠宏泰科技原裝正品現(xiàn)貨銷售日立IGBT模塊MBN1200E17D
VCES=1700V ; IC=1200A
Silicon N-channel IGBT
∗ Low noise due to ultra soft fast recovery diode.
∗ High reliability, high durability module.
∗ High thermal fatigue durability.(delta Tc=70°C, N>30,000cycles)
∗ Isolated heat sink (terminal to base).
∗ High speed, low loss IGBT module.
∗ Low driving power due to low input capacitance MOS gate.
日立IGBT模塊型號(hào):
MBN200GS6AW、
MBN325A18、
MBN300GS6AW、
MBN1800D17、
MBN400GS6AW、
MBN200GS12AW、
MBN300GS12AW(BW)、
MBN400GS(NS)12AW(BW)、
MBN600GS(NS)12AW(BW)、
MBN800GS12AW(BW)、
MBN1000QS12AW(BW)、
MBN1000JS12AW、
MBN800GR17、
MBN1200GS(NS)12AW、
MBN325C20、
MBN400C20、
MBN500C20、
MBN600C20、
MBN600C33A、
MBN1200D25AW(B)、
MBN400D33、
MBN600D33、
MBN1200D33AW、
MBM100AS6、
MBM150GS6AW、
MBM200GS6AW、
MBM200BS6、
MBM200HS6A(6G)、
MBM300GS6AW、
MBM300HR6HY、
MBM300HS6B(6H)、
MBM400GS(JS)6AW、
MBM400HS6A、
MBM600GS6CW、
MBM75GS12A、
MBM100GS12A、
MBM150GS12AW(EBW)、
MBM200GS12AW(EBW)、
MBM200JS12AW、
MBM300GS(NS)12AW、
MBM400QS12AW、
MBM600QS12AW、
MBM300HT12、
MBM150HT12、
MBB100AS6、
MBB75GS12A、
MBB100GS12A。